Groq计划采用3D DRAM技术提升芯片容量

据韩媒报道，已被英伟达收购的Groq计划在下一代芯片中引入3DS（3D堆叠式存储器）技术，以替代SRAM并大幅提升芯片容量。该方案通过硅通孔垂直连接DRAM，旨在解决SRAM容量增长滞后于AI模型扩张的问题，同时优化数据访问带宽与交互延迟。