Groq计划下一代芯片采用3D DRAM技术

据韩媒报道，已被英伟达收购的AI芯片初创公司Groq计划在下一代芯片中引入3DS（3D堆叠式存储器）技术，以替代现有的SRAM架构。该方案旨在通过硅通孔垂直连接DRAM，大幅提升芯片容量，解决SRAM容量增长滞后于AI模型扩张的问题。同时，这一技术变革也意在优化数据访问带宽与交互延迟，以适应日益复杂的AI计算需求。目前报道主要聚焦于其技术路线的调整及预期带来的性能提升，未披露具体量产时间表或详细规格参数。

AI 根据报道生成 · 2 小时前更新

还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。