英特尔公布EMIB与Foveros封装最新路线图：2027年量产EMIB-T，推进12倍光罩SiP

英特尔发布先进封装技术最新路线图，明确EMIB-T将于2027年实现量产，旨在支持构建12倍光罩尺寸的系统级封装（SiP）。该技术通过缩小凸点间距至25微米及集成硅通孔，提升互连密度与供电效率。同时，Foveros Direct 3D铜键合技术已在至强6+“Clearwater Forest”处理器中应用，未来计划将键合间距进一步缩小至3微米。