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英特尔公布先进封装技术最新路线图
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AI 综述
2026年10月15日，英特尔发布先进封装技术最新路线图。报道指出，EMIB-T技术计划于2027年实现量产，旨在支持构建12倍光罩尺寸的系统级封装（SiP）。该技术通过缩小凸点间距至25微米及集成硅通孔，以提升互连密度与供电效率。此外，Foveros Direct 3D铜键合技术已在至强6+“Clearwater Forest”处理器中应用，未来计划将键合间距进一步缩小至3微米。目前报道未提及此前版本的具体数据或矛盾点，仅呈现此次发布的最新规划细节。
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最新进展10月15日 11:26
英特尔宣布EMIB-T将于2027年量产，支持12倍光罩SiP；Foveros Direct 3D键合间距拟缩至3微米。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月15日
- 36氪 · 文章英特尔公布EMIB与Foveros封装最新路线图：2027年量产EMIB-T，推进12倍光罩SiP
英特尔发布先进封装技术最新路线图，明确EMIB-T将于2027年实现量产，旨在支持构建12倍光罩尺寸的系统级封装（SiP）。该技术通过缩小凸点间距至25微米及集成硅通孔，提升互连密度与供电效率。同时，Foveros Direct 3D铜键合技术已在至强6+“Clearwater Forest”处理器中应用，未来计划将键合间距进一步缩小至3微米。
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