记忆张量发布业内首个记忆原生基座模型 MemT 1.0

记忆张量于 10 月 20 日发布业内首个记忆原生基座模型 MemT 1.0，将历史信息编码为可持续更新的内部记忆状态，实现参数化记忆直接参与后续生成。本次开源版本包括 MemT-1.0-Flash（288B 参数）和 MemT-1.0-Nano（36B 参数），在 SWE-bench Verified 等基准测试中显示出成功率提升，并在长历史场景下显著优化推理速度与存储占用。